Компанія samsung представила оновлену інформацію про розвиток технологічних процесів під час свого п’ятого щорічного цифрового заходу samsung foundry forum. В даний час компанія планує почати виробництво перших 3-нанометрових мікросхем в першій половині 2022 року. Перший 3-нм технологічний процес gate-all-around( gaa), що використовує multi-bridge-channel fet (mbcfet), дозволить зменшити площу кристалів до 35 відсотків, підвищити продуктивність на 30 відсотків або знизити енергоспоживання на 50 відсотків у порівнянні з 5-нм чіпами.

Компанія також зазначила, що вихідна потужність 3-нм ліній наближається до рівня, аналогічного 4-нм, який вже знаходиться в масовому виробництві.

Якщо говорити про більш далекі перспективи, то samsung заявила, що її покращений 3-нанометровий техпроцес другого покоління очікується в 2023 році. 2-нм техпроцес з mbcfet в даний час знаходиться на ранніх стадіях розробки, а масове виробництво орієнтовно намічено на 2025 рік.

Спочатку samsung планувала почати масове виробництво 3-нм чіпів в кінці 2021 року, але недооцінила рівень складності. Триваюча нестача мікросхем, спровокована глобальною пандемією теж не поліпшила ситуацію. У зв’язку з цим samsung заявила, що продовжує вдосконалювати процес finfet. Компанія особливо відзначила свій 17-нанометровий процес finfet, заявивши, що він забезпечує зменшення площі кристалів до 43 відсотків, підвищення продуктивності на 39 відсотків або підвищення енергоефективності на 49 відсотків у порівнянні з 28-нанометровим процесом.

Оскільки нестача мікросхем зберігається, багато клієнтів використовують випробувані часом виробничі процесам для задоволення своїх потреб. Це може здатися кроком назад, але слід розуміти, що не вся електроніка вимагає передових технологій виробництва.